日前，有消息稱，繼去年推出的136層第六代V-NAND閃存后，三星目前正在研發(fā)160層及以上的3D閃存，將成為第七代V-NAND閃存的基礎。
據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
考慮到三星在NAND閃存行業(yè)占據(jù)了超過1/3的份額，實力是最強的，不出意外160+層堆棧的閃存應該也會是他們首發(fā)，繼續(xù)保持閃存技術上的優(yōu)勢，拉開與對手的差距。
就在上周，我國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。此外，SK Hynix在去年也已宣布正在研發(fā)176層堆棧的4D閃存；不過他們家的閃存結構甚至命名都跟其他廠商有所不同，不能單看層數(shù)高低。
