11 月 28 日消息，根據(jù)集邦咨詢公布的最新 HBM 市場研究報告，英偉達為了健全現(xiàn)有供應(yīng)鏈，計劃引入更多的 HBM 供應(yīng)商。
根據(jù)該機構(gòu)報告中分享的時間軸報告，英偉達 7 月底已經(jīng)收到了美光的 8hi（24GB）樣品；8 月收到了 SK 海力士的 8hi（24GB）樣品；今年 10 月初收到了三星的 8hi（24GB）樣品。
由于 HBM 驗證過程繁瑣，預(yù)計耗時兩個季度，因此，TrendForce 集邦咨詢預(yù)期，英偉達最快在 2023 年底，完成部分廠商的 HBM3e 驗證，而三大原廠預(yù)計于 2024 年第一季完成所有驗證。
值得注意的是，各原廠的 HBM3e 驗證結(jié)果，也將決定最終英偉達 2024 年在 HBM 供應(yīng)商的采購權(quán)重分配，然目前驗證皆尚未完成，因此 2024 年 HBM 整體采購量仍有待觀察。
展望 2024 年，觀察目前各 AI 芯片供應(yīng)商的項目進度，NVIDIA 2023 年的高端 AI 芯片（采用 HBM）的既有產(chǎn)品為 A100 / A800 以及 H100 / H800；2024 年則將把產(chǎn)品組合（Product Portfolio）更細致化地分類。
除了原上述型號外，還將再推出使用 6 顆 HBM3e 的 H200 以及 8 顆 HBM3e 的 B100，并同步整合 NVIDIA 自家基于 Arm 架構(gòu)的 CPU 與 GPU，推出 GH200 以及 GB200。
除了 HBM3 與 HBM3e 外，據(jù) TrendForce 集邦咨詢了解，HBM4 預(yù)計規(guī)劃于 2026 年推出，目前包含 NVIDIA 以及其他 CSP（云端業(yè)者）在未來的產(chǎn)品應(yīng)用上，規(guī)格和效能將更優(yōu)化。
受到規(guī)格更往高速發(fā)展帶動，將首次看到 HBM 最底層的 Logic die（又名 Base die）采用 12nm 制程 wafer，該部分將由晶圓代工廠提供，使得單顆 HBM 產(chǎn)品需要結(jié)合晶圓代工廠與存儲器廠的合作。
再者，隨著客戶對運算效能要求的提升，HBM4 在堆棧的層數(shù)上，除了現(xiàn)有的 12hi (12 層) 外，也將再往 16hi (16 層) 發(fā)展，更高層數(shù)也預(yù)估帶動新堆棧方式 hybrid bonding 的需求。HBM4 12hi 產(chǎn)品將于 2026 年推出；而 16hi 產(chǎn)品則預(yù)計于 2027 年問世。
