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三星目標(biāo) 5 年內(nèi)超越臺(tái)積電,承認(rèn) 4nm 工藝目前落后兩年

2023年5月5日 14:12  IT之家  

5 月 4 日消息,據(jù) Hankyung 報(bào)道,三星半導(dǎo)體今天早些時(shí)候在 KAIST(韓國科學(xué)技術(shù)院)舉行了一場(chǎng)演講,三星設(shè)備解決方案部門總裁 Kye Hyun Kyung 提出了三星半導(dǎo)體將趕上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的未來愿景。

Kye Hyun Kyung 承認(rèn)三星的代工技術(shù)“落后于臺(tái)積電”。他解釋說,三星的 4nm 技術(shù)比臺(tái)積電落后大約兩年,而其 3nm 工藝則比臺(tái)積電落后大約一年。

不過,Kye Hyun Kyung 也表示,但等到 2nm 就會(huì)發(fā)生變化,并大膽預(yù)測(cè):“我們可以在五年內(nèi)超越臺(tái)積電!

三星可能在未來五年內(nèi)跑贏臺(tái)積電的想法,源于三星打算從 3nm 制造工藝開始使用 Gate All Around(GAA)技術(shù)。相比之下,臺(tái)積電在達(dá)到 200 萬產(chǎn)量之前不會(huì)使用 GAA。

GAA 是一種生產(chǎn)工藝,可以使三星生產(chǎn)出比臺(tái)積電目前使用的工藝更。45%)、能耗更低(50%)的芯片。Kye Hyun Kyung 稱“客戶對(duì)三星電子的 3nm GAA 工藝的反映很好”。

Kye Hyun Kyung 還表示,三星預(yù)計(jì)存儲(chǔ)半導(dǎo)體在開發(fā) AI 服務(wù)器方面將變得更加重要,并超過英偉達(dá) GPU,并稱三星將“確保以存儲(chǔ)器半導(dǎo)體為中心的超級(jí)計(jì)算機(jī)能夠在 2028 年問世”。

據(jù)IT之家此前報(bào)道,近期三星稱,其 4nm 芯片制程良率已改善、接近 5nm 的水準(zhǔn),下一代 4nm 制程將提供更高的良率。

業(yè)內(nèi)消息人士透露,美國芯片巨頭 AMD 公司已經(jīng)選擇了三星電子作為其 4nm 處理器的合作伙伴。此外,谷歌公司也將委托三星電子生產(chǎn)其 Pixel 8 智能手機(jī)的 Tensor 3 芯片,采用三星電子第三代 4nm 工藝節(jié)點(diǎn)。

編 輯:章芳
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