4 月 19 日消息，SK 海力士宣布和臺(tái)積電簽署諒解備忘錄（MOU），推進(jìn) HBM4 研發(fā)和下一代封裝技術(shù)，目標(biāo)在 2026 年投產(chǎn) HBM4。
根據(jù)雙方簽署的諒解備忘錄，兩家公司初期目標(biāo)是改善 HBM 封裝內(nèi)最底層基礎(chǔ)裸片（Base Die）的性能。
IT之家注：HBM 是將多個(gè) DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片上，并通過(guò) TSV 技術(shù)進(jìn)行垂直連接而成，基礎(chǔ)裸片也連接至 GPU，在 HBM 中扮演非常重要的角色。
包括 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）在內(nèi)，SK 海力士旗下 HBM 產(chǎn)品的基礎(chǔ)裸片此前均采用自家工藝制造，而從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開(kāi)始，該公司將采用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯（Logic）工藝。
消息稱雙方將會(huì)展開(kāi)緊密合作，嘗試使用臺(tái)積電的 CoWoS 技術(shù)封裝 SK 海力士的 HBM 產(chǎn)品，從而在性能和功效等方面，進(jìn)一步滿足客戶的定制化（Customized）HBM 產(chǎn)品需求。
SK 海力士今年 2 月還制定了 One Team 戰(zhàn)略，通過(guò)臺(tái)積電建立 AI 半導(dǎo)體同盟，進(jìn)一步鞏固在 HBM 領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)。
▲ HBM 內(nèi)存結(jié)構(gòu)示意圖，圖源 AMD 官網(wǎng)
此外，未來(lái) AI 半導(dǎo)體將從 HBM 時(shí)代的 2.5D 封裝走向 3D 堆疊邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片的新型高級(jí)封裝。存儲(chǔ)企業(yè)同芯片代工 + 高級(jí)封裝企業(yè)的合作有利于相關(guān)研發(fā)推進(jìn)。
